專利名稱 一種全銻基薄膜太陽電池及其制備方法
申請?zhí)?專利號 CN202011527799.1 專利權(quán)人（第一權(quán)利人） 東北電力大學(xué)
申請日 2020-12-22 授權(quán)日 2022-05-24
專利類別 授權(quán)發(fā)明 戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)分類 雙五星
技術(shù)主題 薄膜|金屬電極|電池|光化學(xué)|電子傳輸層|空穴傳輸層|物理學(xué)|薄膜太陽能電池|材料科學(xué)|導(dǎo)電
應(yīng)用領(lǐng)域 最終產(chǎn)品制造|光伏發(fā)電|半導(dǎo)體器件
意向價(jià)格 具體面議
專利概述 一種全銻基薄膜太陽電池及其制備方法，包括：前電極、頂電池、背電極，其特點(diǎn)是，前電極為透明導(dǎo)電玻璃層，頂電池由依次層疊設(shè)置的Sb2O3薄膜作為第一電子傳輸層、Sb2S3薄膜作為第一吸光層、CuSbS2薄膜作為第一空穴傳輸層組成；還包括在頂電池與背電極之間依次層疊設(shè)置中間電池、底電池，中間電池由依次層疊設(shè)置的Sb2O3薄膜作為第二電子傳輸層、Sb2(S,Se)3薄膜作為第二吸光層、CuSbS2薄膜作為第二空穴傳輸層組成；底電池由依次層疊設(shè)置的Sb2O3薄膜作為第三電子傳輸層、Sb2Se3薄膜作為第三吸光層、CuSbS2薄膜作為第三空穴傳輸層；背電極為金屬電極層。其結(jié)構(gòu)簡單，成本低且性能穩(wěn)定。
圖片資料 一種全銻基薄膜太陽電池及其制備方法
合作方式 擬許可
聯(lián)系人 戚梅宇 聯(lián)系電話 13074363281